SUNXPanasonic激光位移傳感器HG-C1030-P

SUNXPanasonic激光位移傳感器HG-C1030-P

技術(shù)參數(shù)

測(cè)量中心距離 30mm

測(cè)量范圍          ±5mm

重復(fù)精度 10μm

直線性      ±0.1% F.S.

溫度特性 0.03% F.S./℃

耐環(huán)境性:保護(hù)構(gòu)造 IP67(IEC)

耐環(huán)境性:環(huán)境溫度 -10～+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲(chǔ)時(shí)20～+60℃

耐環(huán)境性:環(huán)境濕度 35～85%RH、存儲(chǔ)時(shí):35～85%RH

耐環(huán)境性:環(huán)境照度 白熾燈:受光面照明度3,000 lx以下

耐環(huán)境性:耐振動(dòng)    耐久10～55Hz(周期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時(shí)

耐環(huán)境性:耐沖擊 耐久500m/s2(約50G) XYZ各方向3

電纜     0.2mm2 5芯復(fù)合電纜, 長(zhǎng)2m

電纜延長(zhǎng)    0.3mm2以上電纜　    多延長(zhǎng)至全長(zhǎng)10m

材質(zhì)      本體外殼:壓鑄鋁

前罩:丙烯基

光源 紅色半導(dǎo)體激光 2級(jí)(JIS/IEC/GB)/II級(jí)(FDA)(注)

大輸出:1mW

投光峰波長(zhǎng)度:655nm

(注):根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定、遵守FDA規(guī)則。

光束直徑   約?50μm

(注):測(cè)量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。如果定義區(qū)域外有光泄漏、并且檢測(cè)點(diǎn) 周圍有高于檢測(cè)點(diǎn)本身的強(qiáng)反射、測(cè)定結(jié)果可能會(huì)受到影響。

電源電壓 12～24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%以下

消耗電流 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))

65mA以下(電源電壓12V DC時(shí))

(注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開(kāi)始進(jìn)行規(guī)格變更。2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品： 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、60mA以下(電源電壓12V DC時(shí))

反應(yīng)時(shí)間     1.5ms/5ms/10ms 可切換

外部輸入      PNP無(wú)接點(diǎn)輸入

?輸入條件

無(wú)效:0～+0.6V DC或開(kāi)路

有效:+4～+V DC

? 輸入阻抗:約10kΩ

污損度        2

標(biāo)高 2,000m以下

控制輸出   PNP開(kāi)路集電極晶體管

?   大源電流:50mA

?外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)

?剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時(shí))

?漏電流:0.1mA以下

控制輸出:輸出動(dòng)作 入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON 可切換

控制輸出:短路保護(hù) 配備(自動(dòng)恢復(fù))

模擬輸出 : 模擬量電壓輸出   ?輸出范圍：0～5V(報(bào)警時(shí)：+5.2V)

?輸出阻抗：100Ω

模擬輸出 : 模擬電流輸出 ?輸出范圍：4～20mA(報(bào)警時(shí)：0mA)

?輸出阻抗：300Ω

(注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開(kāi)始追加了模擬電流輸出功能。

SUNXPanasonic激光位移傳感器HG-C1030-P